一種用于LED的GaN深溝平坦化的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811408698.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109524524B 公開（公告）日 2020-04-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN109524524B 申請(qǐng)公布日 2020-04-28
分類號(hào) H01L33/22;H01L33/44;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華斌;黃慧詩(shī);閆曉密 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇星光恒輝半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214192 江蘇省無(wú)錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，提供一種用于LED的GaN深溝平坦化的制作方法，包括如下步驟：制作絕緣層?制作錐形絕緣層?生長(zhǎng)外延層?刻蝕外延層?GaN深溝刻蝕?制作絕緣介質(zhì)層?制作導(dǎo)電金屬層；本發(fā)明通過在藍(lán)寶石平片襯底上引入圖形化的絕緣層，由于圖形化的絕緣層易被刻蝕，使得當(dāng)GaN深溝刻蝕時(shí)，通過干法刻蝕工藝即能實(shí)現(xiàn)GaN深溝內(nèi)的平坦化，不僅能提升LED的亮度，而且極大提升了傳統(tǒng)工藝膜層的均勻性，同時(shí)提升了器件的可靠性。