用于手環(huán)的MicroLED顯示模塊制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711043507.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN107768491B | 公開（公告）日 | 2019-11-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107768491B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-11-22 |
| 分類號(hào) | H01L33/00（2010.01）; H01L21/033（2006.01） | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃慧詩; 周鋒; 張秀敏; 田淑芬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇星光恒輝半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江蘇新廣聯(lián)半導(dǎo)體有限公司;江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司 |
| 地址 | 214192 江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種用于手環(huán)的MicroLED顯示模塊制作方法，所述制作方法步驟依次包括：形成LED外延片；暴露N?GaN層部分上表面；制作反射層；制作列電極絕緣層，暴露列電極電流通孔區(qū)域下的反射層；制作列電極層，所述列電極層與列電極電流通孔連接；制備行電極絕緣層；暴露行電極電流通孔區(qū)域下的N?GaN層；制作行電極層，所述行電極層與行電極電流通孔連接；利用激光技術(shù)將晶圓上的器件進(jìn)行切割，并利用裂片技術(shù)將芯片分離，形成獨(dú)立的器件單元；利用倒裝焊技術(shù)，將上述加工的顯示芯片單元，與貼裝有SSD1306 IC的柔性線路板的行列電極連接。本發(fā)明利用MicroLED技術(shù)，制作微型顯示陣列，利用PM IC驅(qū)動(dòng)，直接對(duì)微型顯示陣列驅(qū)動(dòng)，替代OLED屏幕，減少屏幕模組的能耗，提高待機(jī)時(shí)間。 |
