一種等離子體刻蝕裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201520079805.X | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN204407288U | 公開(公告)日 | 2015-06-17 |
申請公布號(hào) | CN204407288U | 申請公布日 | 2015-06-17 |
分類號(hào) | H01J37/32(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張海霞;殷翔芝;江霞;喬冠娣 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇金來順光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 224300 江蘇省鹽城市射陽縣射陽經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)人民西路199號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供一種等離子體刻蝕裝置,包括主機(jī)柜,所述主機(jī)柜內(nèi)設(shè)有反應(yīng)室,所述反應(yīng)室上方與一送氣管連接,反應(yīng)室下方與一抽氣管連接,所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有一靜電吸盤,所述反應(yīng)室上方中央設(shè)有射頻電源,所述射頻電源的四周設(shè)有射頻電感線圈,所述射頻電源與所述射頻電感線圈連接,所述射頻電源還與所述靜電吸盤連接,所述靜電吸盤與所述射頻電源的距離為20mm-40mm。能更好的控制等離子體的刻蝕速率及刻蝕深度,保證了放電用的電場的對(duì)稱性分布,使刻蝕速率具有良好的均勻性。 |
