覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201810319803.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108493123B | 公開（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請公布號(hào) | CN108493123B | 申請公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號(hào) | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 潘健成;陳清隴 | 申請（專利權(quán)）人 | 蘇試宜特（上海）檢測技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海唯源專利代理有限公司 | 代理人 | 曾耀先 |
| 地址 | 201100 上海市徐匯區(qū)宜山路1618號(hào)8幢C101室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法，其中，本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法包括：提供覆晶芯片，覆晶芯片包括裸片及封裝于裸片的外部的封裝結(jié)構(gòu)，裸片的正面具有錫球；研磨封裝結(jié)構(gòu)，直至裸露出裸片正面的錫球；采用淋酸蝕刻的方式蝕刻裸片的正面，去除裸片正面的錫球、殘留的封裝結(jié)構(gòu)，達(dá)到裸片正面完全開封以得到裸片樣品。本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法不需要用酸煮沸去除封裝結(jié)構(gòu)，而是研磨掉封裝結(jié)構(gòu)的一部分，再使用淋酸蝕刻的方式去除錫球和裸片正面的封裝結(jié)構(gòu)，從而獲得裸片，不會(huì)造成崩邊或裂痕，使用此裸片進(jìn)行其他實(shí)驗(yàn)時(shí)，可排除人為因素對裸片的影響，提高了實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確性，具有優(yōu)異的技術(shù)效果。?? |
