GaAs芯片失效分析樣品及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110303325.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113075522A 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN113075522A 申請公布日 2021-07-06
分類號 G01R31/26（2014.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 殷榮;陳佳妃 申請（專利權）人 蘇試宜特（上海）檢測技術股份有限公司
代理機構 上海唯源專利代理有限公司 代理人 季辰玲
地址 201100 上海市閔行區(qū)宜山路1618號8幢C101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種GaAs芯片失效分析樣品及制備方法，該制備方法包括步驟：對GaAs芯片的基板進行研磨，使所述GaAs芯片露出晶背；對露出晶背的GaAs芯片進行熱點定位，確認失效位置；對所述GaAs芯片的晶背進行物理減薄，使減薄后的厚度滿足切割操作厚度；利用紅外顯微鏡對減薄后的GaAs芯片進行掃描并再次確認所述失效位置；根據(jù)所述失效位置對減薄后的GaAs芯片進行切割并形成失效分析樣品。本發(fā)明方法取消了傳統(tǒng)化學法解封塑封體，避免了對GaAs芯片的金屬走線的破壞，提高了制樣成功率并保證了后續(xù)的失效分析效果。