一種提高可見光通信中Micro-LED帶寬方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911333564.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111010232B | 公開(公告)日 | 2021-03-12 |
申請公布號 | CN111010232B | 申請公布日 | 2021-03-12 |
分類號 | H04B10/116(2013.01)I;H04B10/50(2013.01)I | 分類 | 電通信技術; |
發(fā)明人 | 吳挺竹;王澤平;周海珠;張健;陳傳鳳;劉青青;鄭振耀;林岳;陳忠;呂毅軍;高巨守;劉夢 | 申請(專利權)人 | 越眾技術有限公司 |
代理機構 | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) | 代理人 | 張素斌 |
地址 | 361005福建省廈門市思明南路422號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種提高可見光通信中Micro?LED帶寬方法,涉及可見光通信領,包括以下步驟:1)根據(jù)Micro?LED芯片有源區(qū)對芯片發(fā)光波長的調(diào)控機理,構建Micro?LED芯片光學性能模型;2)根據(jù)步驟1)構建的Micro?LED芯片光學性能模型制備微納尺度下量子阱層露出的Micro?LED芯片;3)在步驟2)制備的Micro?LED芯片的側壁沉積ALD層;4)在Micro?LED芯片上沉積量子點,使量子點和側壁量子阱接觸,從而利用非輻射能量轉(zhuǎn)移機制加大載流子復合效率,降低載流子壽命,進而提高Micro?LED的?3dB帶寬。?? |
