一種HDI板深V盲孔的制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111107250.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113891579A | 公開（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113891579A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-04 |
| 分類號(hào) | H05K3/42（2006.01）I;H05K3/00（2006.01）I | 分類 | 其他類目不包含的電技術(shù); |
| 發(fā)明人 | 陳志新;鄒金龍;位珍光 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 宜興硅谷電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 任立 |
| 地址 | 214200江蘇省無錫市宜興市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)慶源大道1-4號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種HDI板深V盲孔的制作方法，包括流程：開料?內(nèi)層線路（包括PAD）?壓合?棕化薄銅?鐳射鉆孔?機(jī)械鉆孔?填孔電鍍?樹脂塞孔，其中：（1）內(nèi)層線路時(shí)在L3層上設(shè)置一個(gè)盲孔承接PAD，在L2層上設(shè)置一個(gè)盲孔限位PAD；（2）鐳射鉆孔前先進(jìn)行鐳射對(duì)位標(biāo)靶內(nèi)靶設(shè)計(jì)，具體為：采用L1?2?3的模式進(jìn)行設(shè)計(jì)，L1及L3層為全銅皮，L2層上蝕刻出一個(gè)0.8mm的圓孔洞；（3）鐳射鉆孔的操作為：采用激光鐳射鉆孔，在L1層上先進(jìn)行開窗燒蝕3.5*3.5mm的臺(tái)階孔，直至透過L2層的0.8mm圓孔洞燒蝕至L3層的承接PAD，然后激光鐳射鉆孔機(jī)則自動(dòng)抓取L2層的圓孔洞進(jìn)行對(duì)位鐳射作業(yè)；該制作方法簡單易行，即可以規(guī)避鐳射漏階的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)，又能滿足跨層鐳射L1?3盲孔電信能質(zhì)量要求。 |
