自對準(zhǔn)接觸制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410584842.6 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN105632921B 公開（公告）日 2019-07-02
申請公布號(hào) CN105632921B 申請公布日 2019-07-02
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I; H01L21/68（2006.01）I; H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 秦長亮; 殷華湘; 李俊峰; 趙超 申請（專利權(quán)）人 北京中科微投資管理有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳紅
地址 100010 北京市東城區(qū)大取燈胡同2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種自對準(zhǔn)接觸制造方法，包括：在襯底上的第一層間介質(zhì)層中形成柵極開口；在柵極開口中形成金屬柵極；在金屬柵極以及第一層間介質(zhì)層上形成第二層間介質(zhì)層；在第二層間介質(zhì)層上形成位于金屬柵極上方的掩模圖形；以掩模圖形為掩模，依次刻蝕第二層間介質(zhì)層和第一層間介質(zhì)層，直至暴露襯底，形成自對準(zhǔn)的源漏接觸孔。依照本發(fā)明的自對準(zhǔn)接觸制造方法，不對金屬柵極凹陷而是直接在其頂部形成保護(hù)層，能有效適當(dāng)放寬關(guān)鍵尺寸和重疊大小的限制，提高了對工藝波動(dòng)的穩(wěn)定性和器件可靠性，降低了制造成本和工藝難度。