半導體器件制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410571346.7 申請日 -
公開（公告）號 CN105590854B 公開（公告）日 2019-07-02
申請公布號 CN105590854B 申請公布日 2019-07-02
分類號 H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 秦長亮; 殷華湘; 李俊峰; 趙超 申請（專利權(quán)）人 北京中科微投資管理有限責任公司
代理機構(gòu) 北京藍智輝煌知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳紅
地址 100010 北京市東城區(qū)大取燈胡同2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件制造方法，包括：在襯底上依次形成穿通阻擋層以及半導體材料層；在半導體材料層上形成掩膜圖形；利用掩膜圖形依次刻蝕半導體材料層和穿通阻擋層，直至進入襯底中，在襯底上形成包含了半導體材料層和穿通阻擋層的多個鰭片；在多個鰭片之間的襯底上形成淺溝槽隔離。依照本發(fā)明的半導體器件制造方法，先形成穿通阻擋層然后外延并刻蝕形成鰭片，通過濃度分布超陡的PTSL層降低了器件的漏電并且改善了器件的短溝道效應(yīng)，采用兼容主流硅工藝降低了成本、提高了導熱性，并且采用高遷移率材料用作溝道區(qū)以有效提高器件驅(qū)動性能。