半導(dǎo)體器件制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410465366.6 申請日 -
公開（公告）號 CN105428317B 公開（公告）日 2018-09-18
申請公布號 CN105428317B 申請公布日 2018-09-18
分類號 H01L21/8238;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孟令款 申請（專利權(quán)）人 北京中科微投資管理有限責任公司
代理機構(gòu) 北京藍智輝煌知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳紅
地址 100010 北京市東城區(qū)大取燈胡同2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：在包含半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的襯底上依次形成線條疊層、硬掩模疊層，所述硬掩模疊層包括至少一個第一硬掩模層和至少一個第二硬掩模層，所述第一硬掩模層包含硅基絕緣材料，所述第二硬掩模層包含非硅基絕緣材料；在硬掩模疊層上形成光刻膠圖形；以光刻膠圖形為掩模，各向異性干法刻蝕硬掩模疊層形成硬掩模圖形；以硬掩模圖形為掩模，各向異性干法刻蝕線條疊層形成精細線條。依照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法，采用多層掩模提高了線條的垂直度和刻蝕選擇性，提高了線條精度、有效降低了器件尺寸。