自對準接觸制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410585105.8 申請日 -
公開（公告）號 CN105632906B 公開（公告）日 2019-10-29
申請公布號 CN105632906B 申請公布日 2019-10-29
分類號 H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 秦長亮;殷華湘;李俊峰;趙超 申請（專利權）人 北京中科微投資管理有限責任公司
代理機構 北京藍智輝煌知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 陳紅
地址 100010 北京市東城區(qū)大取燈胡同2號4號樓1層108室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種自對準接觸制造方法，包括：在襯底上的層間介質層中形成金屬柵極以及金屬柵極兩側的柵極側墻；自對準刻蝕，去除層間介質層，露出柵極側墻和源漏極區(qū)域；形成接觸金屬層，覆蓋襯底的源漏極區(qū)域和金屬柵極頂部、以及柵極側墻側壁；以及平坦化接觸金屬層，直至暴露柵極側墻頂部。依照本發(fā)明的自對準接觸制造方法，不對金屬柵極凹陷而是直接在其頂部形成保護層，能有效適當放寬關鍵尺寸和重疊大小的限制，提高了對工藝波動的穩(wěn)定性和器件可靠性，降低了制造成本和工藝難度。