一種半導(dǎo)體芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201620039008.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN205303503U 公開（公告）日 2016-06-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN205303503U 申請(qǐng)公布日 2016-06-08
分類號(hào) H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃曉東;陳錫園 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海華崟安全環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 200031 上海市徐匯區(qū)淮海中路1720號(hào)眾聯(lián)別墅E座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體芯片，包括襯底，依次生長在襯底上的N型層、發(fā)光層、P型層以及設(shè)置在N型層與P型層上的N電極和P電極，在所述襯底與N型層之間有濺鍍的圖形結(jié)構(gòu)。所述襯底的材料是藍(lán)寶石，所述圖形結(jié)構(gòu)的材料是Cu。所述半導(dǎo)體芯片相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)使用了比ITO透明電極相對(duì)廉價(jià)的導(dǎo)電材料銅，具有高抗沖擊性和低總電阻的性能，因而具有高可視度以及成本競(jìng)爭力，可大幅度節(jié)約生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。