一種半導(dǎo)體級(jí)過氧化氫水溶液的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910900025.X 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN110577195B 公開(公告)日 2021-05-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN110577195B 申請(qǐng)公布日 2021-05-28
分類號(hào) C01B15/013(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 白秀君;周繼業(yè);汪永超;湯磊硼;朱潔潔 申請(qǐng)(專利權(quán))人 杭州精欣化工有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州浙科專利事務(wù)所(普通合伙) 代理人 吳秉中
地址 311322浙江省杭州市臨安區(qū)龍崗鎮(zhèn)龍都街858號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體級(jí)過氧化氫水溶液的制備方法,該方法以工業(yè)級(jí)過氧化氫為原料,具體包括以下步驟:(1)以工業(yè)級(jí)過氧化氫水溶液為原料作為反滲透系統(tǒng)的進(jìn)水,通過已經(jīng)過膜預(yù)處理的一組或多組反滲透系統(tǒng);(2)獲得的產(chǎn)水依次通過已經(jīng)過轉(zhuǎn)化的1組或多組由陽離子交換樹脂、螯合樹脂和陰離子交換樹脂組成的樹脂提純系統(tǒng);(3)上步獲得的物料通過1組或多組濾芯循環(huán)系統(tǒng)過濾,得到目標(biāo)半導(dǎo)體級(jí)過氧化氫水溶液。本發(fā)明生產(chǎn)出可用于7nm半導(dǎo)體芯片制造過程中的蝕刻和清洗用的半導(dǎo)體級(jí)過氧化氫水溶液,且造成污染小,生產(chǎn)成本較低。??