掩模版

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210534338.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114755898A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114755898A 申請公布日 2022-07-15
分類號 G03F9/00（2006.01）I;G03F7/00（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 林岳明;季明華 申請（專利權(quán)）人 上海傳芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)臨港新片區(qū)江山路2699弄1號樓5樓南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種掩模版，包括透明掩?；?、設(shè)置于透明掩模基板兩側(cè)的第一功能層和第二功能層、及至少兩個(gè)探測孔，探測孔縱向貫通于透明掩?；濉⒌谝还δ軐雍偷诙δ軐?，以獲取位置數(shù)據(jù)的裝置的探針穿過，其中，第一功能層為包括第一遮光層和第一光刻膠層，或者為圖案層；第二功能層為包括第二遮光層和第二光刻膠層，或者為標(biāo)記層，標(biāo)記層包括至少兩個(gè)對準(zhǔn)標(biāo)記。探針可移動至標(biāo)記層上獲取標(biāo)對準(zhǔn)標(biāo)記的位置數(shù)據(jù)，探針可穿過探測孔移動至晶圓上，以準(zhǔn)確獲取位于晶圓上的基準(zhǔn)標(biāo)記位置數(shù)據(jù)，易于在光刻時(shí)實(shí)現(xiàn)晶圓和掩模版的納米級定位對準(zhǔn)，提高光刻套刻時(shí)對準(zhǔn)的精度，制備得到納米級對準(zhǔn)套刻的圖像。