曝光光線頻率增強(qiáng)裝置、光掩模及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210644423.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114740687A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114740687A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | G03F1/26（2012.01）I;G03F1/38（2012.01）I;G03F7/20（2006.01）I;G02B5/00（2006.01）I | 分類(lèi) | 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類(lèi)似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 季明華;黃早紅;任新平;林岳明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海傳芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 201306上海市浦東新區(qū)中國(guó)上海市臨港新片區(qū)層林路688號(hào)1號(hào)樓5樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種曝光光線頻率增強(qiáng)裝置、光掩模及其制備方法，該裝置包括透光基板及表面等離子激元層，其中，表面等離子激元層包括多個(gè)納米單元結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述納米單元結(jié)構(gòu)分別在所述表面等離子激元層平面的第一方向和第二方向上設(shè)置為可與曝光光線的波長(zhǎng)匹配而產(chǎn)生和頻效應(yīng)的周期性間隔排布，和頻效應(yīng)可形成穿過(guò)所述透光基板的和頻光，和頻光的功率占穿過(guò)所述表面等離子激元層的曝光光線的總功率的比例＞30%。通過(guò)頻率增強(qiáng)該裝置，使曝光光線含有30%以上的比原曝光光線頻率更高（波長(zhǎng)更短）和頻光，因此，本發(fā)明可大大提高投影式光刻工藝的分辨率和對(duì)比度。 |
