掩模基版的制作方法及具有等離子體加熱裝置的涂膠設(shè)備
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110620806.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113311660A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-08-27 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113311660A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-27 |
分類(lèi)號(hào) | G03F1/60;G03F1/80;G03F1/68;C23C14/00;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 | 分類(lèi) | 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類(lèi)似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)〔4〕; |
發(fā)明人 | 車(chē)翰宣;陳昊;張震 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 上海傳芯半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 羅泳文 |
地址 | 200120 上海市浦東新區(qū)中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種掩模基版的制作方法及具有等離子體加熱裝置的涂膠設(shè)備,制作方法包括步驟:提供透光基板;在透光基板上沉積遮光膜;在遮光膜上沉積防反射膜,防反射膜為Cr的堿性氧化物;對(duì)防反射膜進(jìn)行加熱烘烤,以脫去防反射膜的水分,并對(duì)防反射膜表面進(jìn)行氧等離子體處理,以在防反射膜表面形成氧化膜;于氧化膜上涂覆化學(xué)放大型光刻膠。本發(fā)明在防反射膜和化學(xué)放大型光刻膠界面形成了氧化膜,在曝光工藝處理時(shí),可以有效避免由堿性防反射膜提供的電子和化學(xué)放大型光刻膠被光照激發(fā)產(chǎn)生的量子結(jié)合而發(fā)生的中和反應(yīng),避免化學(xué)放大型光刻膠中腳狀圖形的產(chǎn)生,從而可以形成具有優(yōu)秀分辨率的掩模版圖案。 |
