一種L型基區(qū)SiCMOSFET元胞結(jié)構(gòu)、器件及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210003560.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114023810A 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN114023810A 申請公布日 2022-02-08
分類號 H01L29/08（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張文淵;馬鴻銘;王哲 申請（專利權(quán)）人 北京昕感科技有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京秉文同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙星;陳少麗
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)同濟中路甲7號18幢5層1單元509
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種L型基區(qū)SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)、器件及其制造方法，包括N++型SiC襯底、N?型SiC漂移層、P型基區(qū)和N+型源區(qū)，N?型SiC漂移層位于N++型SiC襯底上方，其中具有源極溝槽和柵極溝槽，在柵極溝槽中具有柵介質(zhì)層和柵電極；P型基區(qū)和N+型源區(qū)位于源極溝槽和柵極溝槽之間的N?型SiC漂移層上，并自下而上排列，在P型基區(qū)與N?型SiC漂移層之間具有N型電流傳導(dǎo)層，P型基區(qū)與源極溝槽之間具有源極N+型歐姆接觸區(qū)。本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步減小導(dǎo)通電阻和柵漏電容，有利于減小導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提高工作頻率，并能夠避免P型基區(qū)的提前擊穿，保證器件可靠性。