雙溝槽碳化硅MOSFET結(jié)構(gòu)和制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111621854.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114005871A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114005871A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張文淵;馬鴻銘;王哲 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 北京昕感科技有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京秉文同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 趙星;陳少麗 |
| 地址 | 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)同濟(jì)中路甲7號(hào)18幢5層1單元509 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了雙溝槽碳化硅MOSFET結(jié)構(gòu)和制造方法，結(jié)構(gòu)由多個(gè)元胞排列組成，每個(gè)元胞具有襯底和漂移層；漂移層上有柵極溝槽和源極溝槽，源極溝槽周?chē)蠳型空穴阻擋層和P+型屏蔽層，在源極溝槽中形成源極金屬；在漂移層和N型空穴阻擋層頂部形成P型基區(qū)，在P型基區(qū)和P+型屏蔽層頂部形成N+型源區(qū)，N+型源區(qū)和源極金屬之間等處具有歐姆接觸金屬層;在柵極溝槽的底面和內(nèi)側(cè)面等處形成柵極熱氧化介質(zhì)層，柵極熱氧化介質(zhì)層呈腔型，在腔型內(nèi)形成柵極沉淀介質(zhì)層和柵電極；柵電極和源極金屬之間具有層間介質(zhì)。該結(jié)構(gòu)能夠提高器件的柵極介質(zhì)層可靠性，減小導(dǎo)通電阻，從而降低導(dǎo)通靜態(tài)損耗，減小柵漏電容和柵極電荷，從而降低開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)損耗。 |
