一種基于梯度功能復(fù)合材料封裝的壓接型IGBT功率模塊

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120578193.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214378401U 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN214378401U 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張?jiān)ゴ?鐘星立;龍海洋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中冶賽迪工程技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陰知見
地址 400013重慶市渝中區(qū)雙鋼路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種基于梯度功能復(fù)合材料封裝的壓接型IGBT功率模塊，集電極金屬層和發(fā)射極金屬層之間IGBT子模塊包括從上到下依次壓接的集電極梯度功能復(fù)合材料層、IGBT功率芯片、發(fā)射極梯度功能復(fù)合材料層、銅底座和柵極PCB板，壓接后的IGBT子模塊外套裝封裝外殼支架，壓接后發(fā)射極梯度功能復(fù)合材料層和銅底座的缺口內(nèi)放置有柵極彈簧頂針，集電極梯度功能復(fù)合材料層與集電極金屬層和IGBT功率芯片集電極表面以及發(fā)射極梯度功能復(fù)合材料層與IGBT功率芯片的發(fā)射極表面和銅底座的熱膨脹系數(shù)相匹配，解決現(xiàn)有壓接型IGBT功率模塊中IGBT功率芯片與封裝材料組件間熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致組件界面電熱接觸性能下降、散熱效率降低、器件使用壽命縮短的問(wèn)題。