一種高壓輸入的浪涌電流抑制電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202120777477.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN214380091U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN214380091U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H02H9/04（2006.01）I;H02H9/02（2006.01）I | 分類(lèi) | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 辛帥;岳坤;劉永鋒;陳良;何遠(yuǎn) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 西安市新雷能電子科技有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安銘澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 盧會(huì)剛 |
| 地址 | 710000陜西省西安市高新區(qū)學(xué)士路南段39號(hào)2幢1單元10601室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及浪涌抑制技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種高壓輸入的浪涌電流抑制電路，包括：N型MOS管VT1，電容C1和電阻R2；N型MOS管VT1的漏極連接輸入電源，N型MOS管VT1的源極連接輸出端，電容C1的一端連接N型MOS管VT1的源極，電容C1的另一端連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端接地；還包括負(fù)反饋電路，負(fù)反饋電路一端連接電阻R2，另一端連接N型MOS管VT1的柵極，用于控制N型MOS管VT1的導(dǎo)通深度，從而對(duì)浪涌電流進(jìn)行精確控制，這種高壓輸入的浪涌電流抑制電路，對(duì)浪涌電流進(jìn)行精確控制，解決了輸入電壓范圍寬、工作溫度范圍寬而導(dǎo)致浪涌電流一致性差的問(wèn)題。 |
