一種碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310351320.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104241439A 公開(kāi)（公告）日 2014-12-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN104241439A 申請(qǐng)公布日 2014-12-24
分類(lèi)號(hào) H01L31/18(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張征宇;武衛(wèi)兵;李偉中 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 恒基偉業(yè)投資發(fā)展集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京恒基偉業(yè)投資發(fā)展有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路18號(hào)財(cái)智國(guó)際大廈C座10層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的一種碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，針對(duì)不曾引起本領(lǐng)域技術(shù)人員關(guān)心與思考的因素的改進(jìn)，通過(guò)能量激發(fā)的方式增加p型CdTe層的電子傳輸能力和電子濃度，實(shí)現(xiàn)了在熱處理后的CdTe層上有效電沉積富Te層。同時(shí)，本發(fā)明提供的方法中還通過(guò)陰極電位漸變的方法，實(shí)現(xiàn)了富Te層中Te/Cd比例可控，在遠(yuǎn)離碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池襯底的方向上，Te原子濃度呈現(xiàn)梯度增加。