一種半導(dǎo)體三溫測(cè)試生產(chǎn)線
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011073980.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112382581A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112382581A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-19 |
| 分類號(hào) | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 謝斌;劉浩項(xiàng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 安徽晶谷周界微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 合肥廣源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 汪綱 |
| 地址 | 233000安徽省蚌埠市財(cái)院路10號(hào)106號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體三溫測(cè)試生產(chǎn)線，包括低溫測(cè)試線、高溫測(cè)試線及控制柜，低溫測(cè)試線與高溫測(cè)試線并排設(shè)置，低溫測(cè)試線包括第一底座，第一底座的上端面由前往后依次固定安裝有上料臺(tái)、低溫試驗(yàn)箱及低溫轉(zhuǎn)接臺(tái)，上料臺(tái)的上表面中部嵌設(shè)有貫穿低溫試驗(yàn)箱的第一進(jìn)料軌道，且第一進(jìn)料軌道的末端延伸至低溫轉(zhuǎn)接臺(tái)的上表面；高溫測(cè)試線包括第二底座，第二底座的上端面由前往后依次固定安裝有下料臺(tái)、高溫試驗(yàn)箱及高溫轉(zhuǎn)接臺(tái)；本發(fā)明能在低溫試驗(yàn)箱和高溫試驗(yàn)箱的進(jìn)料口及出料口形成氮?dú)饬鳉夂焿Γ獨(dú)饬鳉夂焿γ芊庑约氨叵渚謨?yōu)良，從而低溫試驗(yàn)箱與高溫試驗(yàn)箱內(nèi)部熱量不易散失，也保證了試驗(yàn)的精確性。?? |
