發(fā)光二極管芯片的制備方法及發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910227533.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110010728A 公開（公告）日 2019-07-12
申請公布號 CN110010728A 申請公布日 2019-07-12
分類號 H01L33/00;H01L33/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王思博;簡弘安;劉宇軒 申請（專利權(quán)）人 大連德豪光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郭瑋;李雙皓
地址 116051 遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)淮河?xùn)|路157號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管芯片的制備方法及發(fā)光二極管芯片，當(dāng)所述側(cè)壁具有多個(gè)所述斜面時(shí)，所述側(cè)壁的面積越大，從而所述側(cè)壁面出光就會越多。同時(shí)，當(dāng)所述側(cè)壁具有多個(gè)所述斜面時(shí)，內(nèi)部光入射到所述側(cè)壁上的夾角就會越多，會增加取光，提高發(fā)光二極管芯片的亮度。多個(gè)所述斜面形成不同形貌的所述側(cè)壁，可以使內(nèi)部光線入射到所述側(cè)壁產(chǎn)生不同的入射角，可以有更多的光取出，能夠避免較多全反射。同時(shí)，通過所述發(fā)光二極管芯片的制備方法制備獲得所述隔離槽的所述側(cè)壁的相鄰所述斜面之間的角度為正角，當(dāng)后續(xù)制作的絕緣層可披覆在所述隔離槽上，進(jìn)行較好的絕緣。