倒裝發(fā)光二極管芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201921747852.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN210668408U | 公開(公告)日 | 2020-06-02 |
申請公布號 | CN210668408U | 申請公布日 | 2020-06-02 |
分類號 | H01L33/46(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王晟 | 申請(專利權)人 | 大連德豪光電科技有限公司 |
代理機構 | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 | 代理人 | 大連德豪光電科技有限公司 |
地址 | 116051遼寧省大連市經濟開發(fā)區(qū)淮河東路157號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請?zhí)峁┮环N倒裝發(fā)光二極管芯片。所述倒裝發(fā)光二極管芯片從發(fā)光層出射的光,一部分直接射出所述襯底。一部分射向電流擴展層,經過反射層反射后射出所述襯底。由于光線在射出所述襯底時容易發(fā)生全反射,此部分光有機會經過所述反射層而后射出所述襯底。所述平臺將所述襯底邊緣設置的多個所述凸起結構覆蓋。也就是說所述平臺設置在所述反射層和所述凸起結構之間,使得所述反射層靠近所述襯底的表面為平坦結構,可以解決由圖案化微結構導致的所述反射層起伏不平問題。從而,通過所述平臺使得所述反射層靠近所述襯底的表面為平坦結構,提高了所述反射層的反射率,更加有效的反射射到此處的光線,提高了所述倒裝發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率。?? |
