倒裝發(fā)光二極管芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201920822971.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN210429862U | 公開(公告)日 | 2020-04-28 |
申請公布號 | CN210429862U | 申請公布日 | 2020-04-28 |
分類號 | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉巖;閆寶玉;劉鑫;魯洋;劉宇軒;陳順利 | 申請(專利權)人 | 大連德豪光電科技有限公司 |
代理機構 | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 | 代理人 | 大連德豪光電科技有限公司 |
地址 | 116051 遼寧省大連市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)淮河東路157號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請?zhí)峁┮环N倒裝發(fā)光二極管芯片,在倒裝發(fā)光二極管芯片的四周邊緣位置設置N型金屬電極層,在倒裝發(fā)光二極管芯片中間部分設置P型金屬電極層。即使倒裝發(fā)光二極管芯片邊緣的絕緣層破損,出現(xiàn)錫膏與P或N極連接,也不會導致P型金屬電極層與N型金屬電極層發(fā)生短路,出現(xiàn)漏電失效的情況。同時,通過發(fā)光層、P型半導體層以及P極金屬層設置于倒裝發(fā)光二極管芯片中間部分,使得Mesa臺階(量子阱)遠離芯片邊緣,解決了傳統(tǒng)倒裝LED芯片的P電極N電極容易短路、無隔離槽設計的漏電風險。從而可有效降低漏電風險,提高了產(chǎn)品工作可靠性,提升產(chǎn)品良率。 |
