發(fā)光二極管芯片的制備方法及發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910228015.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110010733B 公開（公告）日 2019-07-12
申請公布號 CN110010733B 申請公布日 2019-07-12
分類號 H01L33/14(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王思博;孟芳芳;簡弘安;劉宇軒;陳順利;丁逸圣 申請（專利權(quán)）人 大連德豪光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 大連德豪光電科技有限公司
地址 116051遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)淮河?xùn)|路157號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管芯片的制備方法及發(fā)光二極管芯片，通過所述發(fā)光二極管芯片的制備方法對所述電流擴(kuò)展層低溫氮?dú)馔嘶鸺案邷氐獨(dú)饪焖偻嘶饍纱瓮嘶?，?shí)現(xiàn)對所述電流擴(kuò)展層結(jié)構(gòu)的改善及與所述P型半導(dǎo)體層的歐姆接觸。所述電流擴(kuò)展層的優(yōu)化降低了所述電流擴(kuò)展層對光的散射及增加所述電流擴(kuò)展層內(nèi)載流子濃度，實(shí)現(xiàn)對所述電流擴(kuò)展層的透過率的提升及阻值的降低，從而實(shí)現(xiàn)對LED的亮度提升及電壓降低，最終提高LED效率。??