發(fā)光二極管芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810963017.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109192833A 公開（公告）日 2019-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN109192833A 申請(qǐng)公布日 2019-01-11
分類號(hào) H01L33/24;H01L33/02;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉珊珊;宋林青;廖漢忠;陳順利;丁逸圣 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 大連德豪光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 大連德豪光電科技有限公司
地址 116051 遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)淮河?xùn)|路157號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管芯片及其制備方法。所述發(fā)光二極管芯片的制備方法包括以下幾步。第一步，提供一襯底。第二步，在所述襯底表面通過(guò)黃光制程制備出多個(gè)凸形結(jié)構(gòu)。第三步，垂直于所述襯底表面生長(zhǎng)外延層，覆蓋所述多個(gè)凸形結(jié)構(gòu)。所述外延層包括第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層包裹所述凸形結(jié)構(gòu)。第四步，利用光刻方法制備出待刻蝕圖形。第五步，利用干法刻蝕沿所述待刻蝕圖形刻蝕所述外延層，形成間隔設(shè)置的多個(gè)發(fā)光二極管芯片，相鄰所述發(fā)光發(fā)光二極管芯片之間的所述凸形結(jié)構(gòu)露出。第六步，通過(guò)濕法刻蝕去除所述多個(gè)間隔設(shè)置的所述發(fā)光二極管芯片之間的所述凸形結(jié)構(gòu)。