LED高壓芯片及其制備方法、隔離槽的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811496213.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111293200A 公開（公告）日 2020-06-16
申請公布號 CN111293200A 申請公布日 2020-06-16
分類號 H01L33/44(2010.01)I 分類 -
發(fā)明人 宋林青;廖漢忠;劉珊珊;李士濤;趙洋;丁逸圣;陳順利;孫日敏 申請（專利權(quán)）人 大連德豪光電科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 大連德豪光電科技有限公司
地址 116051遼寧省大連市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)淮河東路157號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種LED高壓芯片及其制備方法、隔離槽的制作方法。所述隔離槽的制作方法包括：提供包括襯底以及設置于襯底上的發(fā)光半導體層的LED芯片主體；在發(fā)光半導體層上形成設有貫穿的第一開口的第一阻擋層和設有貫穿的第二開口的第二阻擋層，第一開口的側(cè)邊與襯底之間的傾斜角小于第二開口的側(cè)邊與襯底之間的傾斜角，且第一開口和第二開口并列設置；刻蝕發(fā)光半導體層，形成隔離槽，隔離槽包括第一槽體和第二槽體，第一槽體的側(cè)壁與襯底之間的傾斜角小于第二槽體的側(cè)壁與襯底之間的傾斜角。本發(fā)明通過一次刻蝕工藝即可在隔離槽的不同位置實現(xiàn)不同的角度需求，可以節(jié)約30％左右的成本。同時，可使LED高壓芯片的發(fā)光面積增大10％～30％，亮度提升5％左右。??