發(fā)光二極管芯片、發(fā)光二極管及發(fā)光二極管芯片制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910871335.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112510133A 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN112510133A 申請公布日 2021-03-16
分類號 H01L33/46(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉珊珊;紀思美;陳順利;李士濤 申請（專利權）人 大連德豪光電科技有限公司
代理機構 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 代理人 傅康
地址 116051遼寧省大連市經濟開發(fā)區(qū)淮河東路157號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種發(fā)光二極管芯片、發(fā)光二極管及發(fā)光二極管芯片制備方法。其中，發(fā)光二極管芯片包括依次疊層設置的反射層、犧牲層、襯底、N半導體層、發(fā)光層和P半導體層。所述犧牲層包括疊層設置的第一犧牲層和第二犧牲層，所述第一犧牲層設置于所述反射層和所述第二犧牲層之間，所述第二犧牲層設置于第一犧牲層和所述襯底之間，且所述第一犧牲層的折射率大于所述第二犧牲層的折射率。本申請?zhí)峁┑乃霭l(fā)光二極管芯片的亮度較高。??