一種用于半導(dǎo)體芯片擴(kuò)膜的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110191989.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112967999A | 公開（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112967999A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-15 |
| 分類號(hào) | H01L21/78（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 阮文靜;黃寓洋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州蘇納光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王鋒 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街218號(hào)生物納米園A4樓109C單元 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明揭示了一種用于半導(dǎo)體芯片擴(kuò)膜的制備方法，包括：提供第一擴(kuò)膜環(huán)、第二擴(kuò)膜環(huán)和待擴(kuò)晶圓；取藍(lán)膜固定在所述第一擴(kuò)膜環(huán)上，繃緊后，并在繃好藍(lán)膜的中心區(qū)域掏空一個(gè)大于待擴(kuò)晶圓的圓環(huán)；在第二擴(kuò)膜環(huán)上固定有放置待擴(kuò)晶圓的第二藍(lán)膜，并對(duì)待擴(kuò)晶圓進(jìn)行切割，切割好芯片后，沿第二擴(kuò)膜環(huán)內(nèi)四周切去多余的第二藍(lán)膜，并去除第二擴(kuò)膜環(huán)；將去除第二擴(kuò)膜環(huán)的芯片放在底部，同時(shí)，將掏好圓環(huán)的第一擴(kuò)膜環(huán)蓋在上面，使第一擴(kuò)膜環(huán)的中心與芯片中心重合，并將重疊的藍(lán)膜和第二藍(lán)膜進(jìn)行粘結(jié)，獲得半成品；將半成品放置于擴(kuò)膜機(jī)上擴(kuò)膜，得到擴(kuò)膜好的半導(dǎo)體芯片。本發(fā)明提供的用于半導(dǎo)體芯片擴(kuò)膜的制備方法，能將尺寸小的鐵環(huán)擴(kuò)膜到尺寸大的擴(kuò)晶環(huán)。 |
