一種用于半導(dǎo)體芯片擴膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110191989.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112967999A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN112967999A 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L21/78（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 阮文靜;黃寓洋 申請（專利權(quán)）人 蘇州蘇納光電有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 王鋒
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街218號生物納米園A4樓109C單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種用于半導(dǎo)體芯片擴膜的制備方法，包括：提供第一擴膜環(huán)、第二擴膜環(huán)和待擴晶圓；取藍膜固定在所述第一擴膜環(huán)上，繃緊后，并在繃好藍膜的中心區(qū)域掏空一個大于待擴晶圓的圓環(huán)；在第二擴膜環(huán)上固定有放置待擴晶圓的第二藍膜，并對待擴晶圓進行切割，切割好芯片后，沿第二擴膜環(huán)內(nèi)四周切去多余的第二藍膜，并去除第二擴膜環(huán)；將去除第二擴膜環(huán)的芯片放在底部，同時，將掏好圓環(huán)的第一擴膜環(huán)蓋在上面，使第一擴膜環(huán)的中心與芯片中心重合，并將重疊的藍膜和第二藍膜進行粘結(jié)，獲得半成品；將半成品放置于擴膜機上擴膜，得到擴膜好的半導(dǎo)體芯片。本發(fā)明提供的用于半導(dǎo)體芯片擴膜的制備方法，能將尺寸小的鐵環(huán)擴膜到尺寸大的擴晶環(huán)。