一種構(gòu)造傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110730617.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113451236B | 公開(公告)日 | 2022-07-12 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113451236B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-12 |
分類號(hào) | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 孫鵬;任玉龍;曹立強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 214028江蘇省無錫市新區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D1棟 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域,提出一種構(gòu)造傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)的方法,包括下列步驟:在硅轉(zhuǎn)接板的內(nèi)部構(gòu)造多個(gè)硅通孔;對(duì)所述硅轉(zhuǎn)接板的上表面進(jìn)行工藝處理;將多個(gè)芯片布置在所述硅轉(zhuǎn)接板的上表面,其中所述多個(gè)芯片與所述多個(gè)硅通孔的上部連接;在傳感芯片的上方布置保護(hù)罩;將硅轉(zhuǎn)接板的上表面通過塑封料塑封;將硅轉(zhuǎn)接板的下部減薄以在硅轉(zhuǎn)接板的下表面露出多個(gè)硅通孔的下部,并且在所述多個(gè)硅通孔的下部構(gòu)造凸塊;減薄塑封料并且磨去感知芯片上方的保護(hù)罩頂部,以使傳感芯片裸露;以及分切硅轉(zhuǎn)接板,并且將布置于有多個(gè)芯片的硅轉(zhuǎn)接板的模塊貼裝在基板上。 |
