一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011416545.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112542433B | 公開(公告)日 | 2022-07-19 |
申請公布號 | CN112542433B | 申請公布日 | 2022-07-19 |
分類號 | H01L23/367(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王全龍;曹立強(qiáng);王國軍;戴風(fēng)偉 | 申請(專利權(quán))人 | 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D1棟 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法,芯片封裝結(jié)構(gòu)包括:第一基片,所述第一基片具有第一表面,所述第一基片中具有容納槽,所述容納槽朝向第一表面;位于所述容納槽中的芯片填充件,所述芯片填充件的側(cè)壁與所述容納槽的側(cè)壁之間的間隔區(qū)域?yàn)榈谝晃⒘鞯馈0研酒畛浼糜谌菁{槽中,芯片填充件的側(cè)壁可以通過第一微流道進(jìn)行散熱,芯片四周散熱效果較好,提高了芯片的可靠性。 |
