新型復(fù)合半導(dǎo)體制熱薄膜及薄膜制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110531857.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113038641B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113038641B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-13 |
| 分類號(hào) | H05B3/12（2006.01）I;H05B3/02（2006.01）I;H05B3/06（2006.01）I;H05B3/04（2006.01）I;H05B3/20（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/20（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I | 分類 | 其他類目不包含的電技術(shù); |
| 發(fā)明人 | 張偉;趙莉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中熵科技（北京）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安迪業(yè)欣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 100190 北京市海淀區(qū)中關(guān)村北二條13號(hào)39幢平房104房間 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種新型復(fù)合半導(dǎo)體制熱薄膜及薄膜制備方法，所述薄膜制備方法包含在基底上濺射阻擋層，在所述阻擋層上濺射發(fā)熱層；采用包含硅的靶材濺射形成阻擋層，采用包含氧化銦錫的靶材濺射形成發(fā)熱層，最終形成的新型復(fù)合半導(dǎo)體制熱薄膜電熱轉(zhuǎn)換高效同時(shí)輻射直接穿透皮膚及皮下組織的遠(yuǎn)紅外波。使用過(guò)程中，基底所含雜質(zhì)由于升溫向外擴(kuò)散時(shí)，基底和發(fā)熱層之間設(shè)置的阻擋層，一方面阻擋基底中的雜質(zhì)向發(fā)熱層擴(kuò)散，另一方面防止水汽滲透進(jìn)入發(fā)熱層，減少雜質(zhì)和水汽對(duì)發(fā)熱層造成損害。本申請(qǐng)通過(guò)引入膜層設(shè)計(jì)，使得基底和發(fā)熱層的熱膨脹系數(shù)和晶格常數(shù)匹配，提高新型復(fù)合半導(dǎo)體制熱薄膜在使用過(guò)程中各層結(jié)構(gòu)之間可靠連接程度，延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。 |
