多層單元非易失性存儲器的一種編程方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011095110.2 申請日 -
公開(公告)號 CN112201293A 公開(公告)日 2021-01-08
申請公布號 CN112201293A 申請公布日 2021-01-08
分類號 G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 耿志遠;陳惕生 申請(專利權(quán))人 本征信息技術(shù)(上海)有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201203上海市浦東新區(qū)蔡倫路1690號2幢206室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了多層單元存儲器的一種編程方法。在編程脈沖步驟中,根據(jù)單元目標(biāo)狀態(tài)或目標(biāo)狀態(tài)和當(dāng)前狀態(tài)調(diào)整單元的有效編程脈沖的時間,以降低編程所需要的編程脈沖步驟的數(shù)量,提高編程效率。本發(fā)明還提供了一種適用于多層單元NAND閃存的通過改變位線電壓進行部分編程抑制,進而調(diào)整單元的有效編程脈沖的時間的方法。??