多層單元非易失性存儲器的一種編程方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011095110.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112201293A | 公開（公告）日 | 2021-01-08 |
| 申請公布號 | CN112201293A | 申請公布日 | 2021-01-08 |
| 分類號 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 分類 | 信息存儲; |
| 發(fā)明人 | 耿志遠;陳惕生 | 申請（專利權(quán)）人 | 本征信息技術(shù)（上海）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)蔡倫路1690號2幢206室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了多層單元存儲器的一種編程方法。在編程脈沖步驟中，根據(jù)單元目標(biāo)狀態(tài)或目標(biāo)狀態(tài)和當(dāng)前狀態(tài)調(diào)整單元的有效編程脈沖的時間，以降低編程所需要的編程脈沖步驟的數(shù)量，提高編程效率。本發(fā)明還提供了一種適用于多層單元NAND閃存的通過改變位線電壓進行部分編程抑制，進而調(diào)整單元的有效編程脈沖的時間的方法。?? |
