多層單元NAND閃存的一種操作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910756167.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110364209A 公開（公告）日 2019-10-22
申請公布號 CN110364209A 申請公布日 2019-10-22
分類號 G11C16/26;G11C16/10 分類 信息存儲;
發(fā)明人 陳惕生;耿志遠 申請（專利權(quán)）人 本征信息技術(shù)（上海）有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201203 上海市浦東新區(qū)蔡倫路1690號2幢206室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了多層單元NAND閃存的一種操作方法。在一次感測操作中，通過調(diào)整NAND串的源極電壓以改變待測單元的柵極電壓與源極電壓的電壓差，并檢查NAND串的導通情況，可以判斷待測單元閾值電壓與該電壓差的大小關(guān)系。在讀取數(shù)據(jù)操作中，根據(jù)多次上述感測操作的比較結(jié)果，可以確定待測單元中存儲的待讀數(shù)據(jù)比特。與不同位線相連的NAND串連接至可獨立調(diào)整的源極信號，因而可以實現(xiàn)與待測單元狀態(tài)有關(guān)的感測，包括基于調(diào)整源極電壓的二分串行感測。在編程操作的校驗步驟中，可根據(jù)目標值調(diào)整每個位線對應的源極信號電壓，只需一次感測操作，即可完成校驗。