一種多層單元NAND閃存
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201921361291.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN210052532U | 公開（公告）日 | 2020-02-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN210052532U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-02-11 |
| 分類號(hào) | G11C16/26;G11C16/10 | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 陳惕生;耿志遠(yuǎn) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 本征信息技術(shù)（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)蔡倫路1690號(hào)2幢206室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種多層單元NAND閃存，與不同位線連接的NAND串連接至不同的源極線，源極線連接至對(duì)應(yīng)的源極電壓選擇器，所有的源極電壓選擇器的電壓輸入端連接至一個(gè)或多個(gè)源極電壓生成器。源極電壓選擇器的輸入?yún)?shù)端可連接至對(duì)應(yīng)的位線感測(cè)電路的鎖存器模塊。 |
