一種多層單元NAND閃存
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201921361291.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN210052532U | 公開（公告）日 | 2020-02-11 |
| 申請公布號 | CN210052532U | 申請公布日 | 2020-02-11 |
| 分類號 | G11C16/26;G11C16/10 | 分類 | 信息存儲; |
| 發(fā)明人 | 陳惕生;耿志遠 | 申請（專利權(quán)）人 | 本征信息技術(shù)（上海）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)蔡倫路1690號2幢206室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型提供了一種多層單元NAND閃存，與不同位線連接的NAND串連接至不同的源極線，源極線連接至對應(yīng)的源極電壓選擇器，所有的源極電壓選擇器的電壓輸入端連接至一個或多個源極電壓生成器。源極電壓選擇器的輸入?yún)?shù)端可連接至對應(yīng)的位線感測電路的鎖存器模塊。 |
