一種MEMS壓力傳感器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201922339438.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211013319U | 公開（公告）日 | 2020-07-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211013319U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-14 |
| 分類號(hào) | G01L1/20(2006.01)I;G01L9/02(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉同慶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無錫芯感智半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 無錫芯感智半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 214072江蘇省無錫市濱湖區(qū)建筑西路777號(hào)國家集成電路設(shè)計(jì)中心A10棟輔3樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種MEMS壓力傳感器，該傳感器包括襯底；襯底上部凹設(shè)有真空腔；襯底對(duì)應(yīng)于真空腔的上部淀積有壓力敏感膜，壓力敏感膜上淀積有氧化層；氧化層與壓力敏感膜覆蓋真空腔的槽口；氧化層上設(shè)有多個(gè)經(jīng)過摻雜處理的壓敏電阻和與壓敏電阻連接的重?fù)诫s硅導(dǎo)線，多個(gè)壓敏電阻電連接形成惠斯通電橋；壓敏電阻的上部和/或下部沉積有用于隔離壓敏電阻經(jīng)過摻雜處理的增穩(wěn)層，增穩(wěn)層將壓敏電阻隔離。上述MEMS壓力傳感器通過在壓敏電阻的上部和/或下部沉積有用于隔離壓敏電阻經(jīng)過摻雜處理的增穩(wěn)層，將壓敏電阻隔離，降低外界電場(chǎng)對(duì)其阻值的影響，克服傳感器輸出漂移缺陷，進(jìn)而提高傳感器的靈敏度與穩(wěn)定性。?? |
