MEMS熱電堆傳感器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120834069.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214502684U 公開(kāi)（公告）日 2021-10-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN214502684U 申請(qǐng)公布日 2021-10-26
分類號(hào) G01J5/12（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 劉同慶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫芯感智半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市辰為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 唐文波
地址 214000江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)建筑西路777號(hào)A10幢3層裙樓北側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)一種MEMS熱電堆傳感器。MEMS熱電堆傳感器包括：第一襯底上設(shè)置有多個(gè)安裝位，多個(gè)安裝位在第一襯底上排列呈環(huán)形；多個(gè)熱電堆單元對(duì)應(yīng)的安裝在多個(gè)安裝位上；其中，熱電堆單元包括：第二襯底由高阻硅構(gòu)成；第一熱偶層設(shè)置在第二襯底上，第一熱偶層包括第一半導(dǎo)體和第一金屬；隔離層鋪設(shè)在第一熱偶層上；第二熱偶層設(shè)置在隔離層上，第二熱偶層包括第二半導(dǎo)體和第二金屬，第二半導(dǎo)體與第一金屬關(guān)于隔離層對(duì)稱，第二金屬與第一半導(dǎo)體關(guān)于隔離層對(duì)稱；第一金屬與其對(duì)應(yīng)的第二半導(dǎo)體連接形成熱電偶，第二金屬與其對(duì)應(yīng)的第一半導(dǎo)體連接形成熱電偶，相鄰的熱電偶串聯(lián)。本實(shí)用新型技術(shù)方案有利于提高M(jìn)EMS熱電堆傳感器的檢測(cè)靈敏度。