溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911001605.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110708035B | 公開(公告)日 | 2022-04-01 |
申請公布號 | CN110708035B | 申請公布日 | 2022-04-01 |
分類號 | H03H9/02(2006.01)I;H03H3/10(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 董加和;冷俊林;陸川 | 申請(專利權(quán))人 | 中電科芯片技術(shù)(集團)有限公司 |
代理機構(gòu) | 重慶博凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 孫根 |
地址 | 401332 重慶市沙坪壩區(qū)西永大道23號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法,包括如下步驟:1)清洗晶片;2)在晶片的器件面上制作聲表面波器件的金屬芯片;3)在金屬芯片的金屬面制作溫度補償層;4)在溫度補償層上開槽并涂覆吸聲膠。本發(fā)明能夠有效地阻斷溫度補償層上表面上表面波的傳播路徑,并吸收掉溫度補償層上表面上表面波,提高TCSAW的電性能指標。 |
