一種四元LED發(fā)光二極管芯片的封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910427143.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111987192B 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN111987192B 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;H01L33/56（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉明;任忠祥;王成新 申請（專利權(quán)）人 山東浪潮華光光電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙龍群
地址 261061山東省濰坊市市轄區(qū)高新區(qū)金馬路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種四元LED發(fā)光二極管芯片的封裝方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，包括：在GaAs襯底上生長外延層，制備P電極及N電極；對芯片進(jìn)行P面切割，形成切割道；在芯片的N面鍍一層銦，將芯片沿切割道全部切割開；將芯片的N面放在封裝支架上，使用烘箱烘烤使N電極與封裝支架負(fù)極相連；使用金屬絲將P電極與封裝支架的正極相連，再在芯片N電極周圍包覆灌裝環(huán)氧樹脂膠，放入烘箱中加熱固化，得到封裝完成的四元LED發(fā)光二極管芯片燈珠。本發(fā)明從根本上杜絕了導(dǎo)電銀膠吸附到芯片側(cè)面造成漏電的問題，同時最后使用的環(huán)氧樹脂膠也是絕緣的，因此有效避免了漏電情況的發(fā)生，此方法操作簡單，在不影響生產(chǎn)效率的情況下，燈珠良品率更高。