一種砷化鎵基LED芯片的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911042680.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112750921B 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN112750921B 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭璐;張兆喜 申請（專利權(quán)）人 山東浪潮華光光電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 黃曉燕
地址 261061山東省濰坊市高新區(qū)金馬路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種砷化鎵基LED芯片的制作方法，包括在外延片表面P型層制作歐姆接觸層；對完成歐姆材料制備的外延片進(jìn)行熱退火處理；在所述歐姆接觸層表面制作P電極；將所述外延片固定到熱解膜上，將外延片的襯底研磨至需要厚度，對研磨面進(jìn)行去離子水沖洗；對研磨后的外延片進(jìn)行N面蒸鍍，蒸鍍溫度為180?300℃；對蒸鍍完成的晶片進(jìn)行N面合金，合金溫度為360?380℃，合金過程中，所述熱解膜脫落；對熱解膜脫落的晶片進(jìn)行半切測試，得到芯粒參數(shù)；對半切測試后的晶片進(jìn)行全切操作，形成獨(dú)立的芯粒。本發(fā)明進(jìn)行研磨步驟前對晶片增加熱解膜，熱解膜作為薄晶片的支撐，降低研磨工步、研磨后蒸鍍、研磨后切割等工步間的裂片率。