一種提高作業(yè)效率及產(chǎn)出率的芯片翻膜方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010788819.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114068769A | 公開(公告)日 | 2022-02-18 |
申請公布號 | CN114068769A | 申請公布日 | 2022-02-18 |
分類號 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 鄭軍;鄭波;李琳琳;閆寶華;王成新 | 申請(專利權(quán))人 | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 濟南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 許德山 |
地址 | 261061山東省濰坊市高新區(qū)金馬路9號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種提高作業(yè)效率及產(chǎn)出率的芯片翻膜方法,包括:(1)邊緣參數(shù)記錄確認:確認要翻膜作業(yè)的芯片的邊緣不良參數(shù)的圈數(shù)并做記錄;(2)翻P面粘膜去除邊緣不良品:根據(jù)記錄單參數(shù)行數(shù)確認去除的圈數(shù),整圈翻掉去除邊緣不良品;(3)N面檢驗;(4)翻N面粘膜:變成N面粘膜,P面向上;(5)P面檢驗;(6)畫片參數(shù)分檔;(8)入庫。本發(fā)明用于提高作業(yè)效率及產(chǎn)出率的芯片翻膜方法,在現(xiàn)有成熟的常規(guī)作業(yè)方法上,進一步優(yōu)化調(diào)整更新工藝方法,取長補短,在提高作業(yè)效率的同時也提高了單片的產(chǎn)出粒數(shù),工藝變更效果比較明顯。 |
