一種反極性GaAs基AlGaInP紅光LED芯片的返工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010985698.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114203862A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203862A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐曉強;程昌輝;吳向龍;閆寶華;王成新 申請（專利權(quán)）人 山東浪潮華光光電子股份有限公司
代理機構(gòu) 濟南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許德山
地址 261061山東省濰坊市高新區(qū)金馬路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種反極性GaAs基AlGaInP紅光LED芯片的返工方法，包括：（1）制作鍵合片：鍵合片是指鍵合的永久性襯底結(jié)構(gòu)及臨時襯底結(jié)構(gòu)，永久性襯底結(jié)構(gòu)包括自下而上的硅永久性襯底、第二反射鏡層、金屬粘附層，臨時襯底結(jié)構(gòu)包括自下而上的第一反射鏡層、電流阻擋層、P型GaAs層、P型AlGaInP層、量子阱層、N型AlGaInP層、N型GaAs層、阻擋層、緩沖層、GaAs臨時襯底，電流阻擋層內(nèi)還設(shè)置有P型歐姆接觸點；（2）返工處理：將永久性襯底結(jié)構(gòu)及臨時襯底結(jié)構(gòu)分開，并去除第一反射鏡層；（3）制作后續(xù)管芯；本發(fā)明有效的返工制作方法提高了倒裝芯片的最終管芯良率。