一種低熱阻高響應(yīng)頻率大變形量電磁驅(qū)動MEMS變形鏡及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711115536.8 申請日 -
公開（公告）號 CN107861236A 公開（公告）日 2018-03-30
申請公布號 CN107861236A 申請公布日 2018-03-30
分類號 G02B26/08 分類 光學(xué);
發(fā)明人 孔慶峰;謝海忠;彭效冉 申請（專利權(quán)）人 明德之星（北京）科技有限公司
代理機構(gòu) 北京華旭智信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 明德之星（北京）科技有限公司
地址 100086 北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街45號興發(fā)大廈45號1001-7
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種低熱阻高響應(yīng)頻率大變形量電磁驅(qū)動MEMS變形鏡，包括:硅結(jié)構(gòu)層；在硅結(jié)構(gòu)層上形成的多層線圈，每個線圈具有墊點和中心點；覆蓋所述多層線圈的介電層；在硅結(jié)構(gòu)層的下表面的周邊區(qū)域中形成的Si襯底層；以及在所硅結(jié)構(gòu)層上封裝所述多層線圈的變形鏡面，其中所述變形鏡面包括：鏡面薄膜，以及在鏡面薄膜下表面的中心區(qū)域形成的連接凸點；其中，所述多層線圈的各層之間通過墊點或中心點進行接觸，使得從硅結(jié)構(gòu)層底起由下而上依次排序，所述多層線圈的奇數(shù)層與偶數(shù)層之間通過中心點接觸，偶數(shù)層與奇數(shù)層之間通過墊點接觸；在第一層線圈的墊點上以及最后一層線圈的墊點或者中心點上形成有與外部互聯(lián)的兩個焊點。