一種低熱阻高響應(yīng)頻率大變形量電磁驅(qū)動MEMS變形鏡

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721506656.6 申請日 -
公開（公告）號 CN208026996U 公開（公告）日 2018-10-30
申請公布號 CN208026996U 申請公布日 2018-10-30
分類號 G02B26/08 分類 光學(xué);
發(fā)明人 孔慶峰;謝海忠;彭效冉 申請（專利權(quán)）人 明德之星（北京）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華旭智信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 明德之星（北京）科技有限公司
地址 100086 北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街45號興發(fā)大廈45號1001-7
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種低熱阻高響應(yīng)頻率大變形量電磁驅(qū)動MEMS變形鏡，包括:硅結(jié)構(gòu)層；在硅結(jié)構(gòu)層上形成的多層線圈，每個線圈具有墊點(diǎn)和中心點(diǎn)；覆蓋所述多層線圈的介電層；在硅結(jié)構(gòu)層的下表面的周邊區(qū)域中形成的Si襯底層；以及在所硅結(jié)構(gòu)層上封裝所述多層線圈的變形鏡面，其中所述變形鏡面包括：鏡面薄膜，以及在鏡面薄膜下表面的中心區(qū)域形成的連接凸點(diǎn)；其中，所述多層線圈的各層之間通過墊點(diǎn)或中心點(diǎn)進(jìn)行接觸，使得從硅結(jié)構(gòu)層底起由下而上依次排序，所述多層線圈的奇數(shù)層與偶數(shù)層之間通過中心點(diǎn)接觸，偶數(shù)層與奇數(shù)層之間通過墊點(diǎn)接觸；在第一層線圈的墊點(diǎn)上以及最后一層線圈的墊點(diǎn)或者中心點(diǎn)上形成有與外部互聯(lián)的兩個焊點(diǎn)。