一種多層平面電磁線圈驅(qū)動(dòng)的MEMS變形鏡及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711115538.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107907991A 公開（公告）日 2018-04-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN107907991A 申請(qǐng)公布日 2018-04-13
分類號(hào) G02B26/08 分類 光學(xué);
發(fā)明人 謝海忠;孔慶峰;彭效冉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 明德之星（北京）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華旭智信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 明德之星（北京）科技有限公司
地址 100086 北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街45號(hào)興發(fā)大廈45號(hào)1001-7
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種多層平面電磁線圈驅(qū)動(dòng)的MEMS變形鏡及制作方法，包括:硅襯底；在硅襯底上形成的多層線圈，每個(gè)線圈具有墊點(diǎn)和中心點(diǎn)；覆蓋所述多層線圈的介電層；及在所述硅襯底上封裝所述多層線圈的變形鏡面，其中所述變形鏡面包括：反射鏡層，在反射鏡層下表面上形成的介電層；在介電層的下表面的周邊區(qū)域中形成Si層；以及在介電層的下表面的中心區(qū)域中形成的永磁性材料層；其中所述多層線圈的各層之間通過墊點(diǎn)和中心點(diǎn)進(jìn)行接觸，使得從硅襯底起由下而上依次排序，所述多層線圈的奇數(shù)層與偶數(shù)層之間通過中心點(diǎn)接觸，偶數(shù)層與奇數(shù)層之間通過墊點(diǎn)接觸；在第一層線圈的墊點(diǎn)上以及最后一層線圈的墊點(diǎn)或中心點(diǎn)上形成有與外部互聯(lián)的兩個(gè)焊點(diǎn)。