一種制備超高純鎘的設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022770627.9 申請日 -
公開（公告）號 CN213977954U 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN213977954U 申請公布日 2021-08-17
分類號 C30B13/20（2006.01）I;C30B29/02（2006.01）I;C22B17/06（2006.01）I;C22B17/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 黃杰杰;朱劉;何志達(dá);李清宇 申請（專利權(quán)）人 清遠(yuǎn)先導(dǎo)材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 顏希文;黃華蓮
地址 511517廣東省清遠(yuǎn)市高新區(qū)百嘉工業(yè)園27-9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種制備超高純鎘的設(shè)備，包括：區(qū)熔料管，中空結(jié)構(gòu)且兩端設(shè)有密封結(jié)構(gòu)；石英舟，置于所述區(qū)熔料管中，用于放置鎘原料；加熱組件，包括若干個電感線圈和移動裝置，所述電感線圈套設(shè)于所述區(qū)熔料管外，所述移動裝置連接支撐所述區(qū)熔料管，并帶動所述電感線圈沿著所述區(qū)熔料管的軸向往復(fù)移動。這種制備超高純鎘的設(shè)備對區(qū)熔料管內(nèi)的鎘原料加熱時升溫更快且便于精細(xì)化控制，有利于提高成品率。