一種超純、超厚、致密鋁膜的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210016976.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114481067A | 公開(公告)日 | 2022-05-13 |
申請公布號 | CN114481067A | 申請公布日 | 2022-05-13 |
分類號 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 何向軍;張少杰 | 申請(專利權(quán))人 | 沈陽富創(chuàng)精密設(shè)備股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 沈陽優(yōu)普達知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 110000遼寧省沈陽市渾南區(qū)飛云路18甲-1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明是關(guān)于一種超純、超厚、致密鋁膜的制備方法,該方法采用磁控濺射技術(shù)加離子干預(離子鍍)的方式在金屬(或合金材料)表面形成厚度可以大于50μm的超厚鋁膜(或鋁涂層),其膜層孔隙率小于1%,膜層純度大于99%,與待鍍工件具有良好的界面結(jié)合力。本發(fā)明可用于3C等領(lǐng)域部件的裝飾、半導體設(shè)備領(lǐng)域及集成電路設(shè)備等領(lǐng)域金屬(或合金)部件的表面處理。 |
