射線探測(cè)器晶體模塊及其制造方法和射線探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910085372.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101561508A 公開(kāi)（公告）日 2009-10-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN101561508A 申請(qǐng)公布日 2009-10-21
分類號(hào) G01T1/202(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 劉亞強(qiáng);王石;夏彥;吳朝霞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 辛耕投資有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市德恒律師事務(wù)所 代理人 黃德海
地址 100084北京市100084-82信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于射線探測(cè)器的晶體模塊，包括多層疊置的晶體子模塊，晶體子模塊由多個(gè)長(zhǎng)方體形狀的晶體條沿著其寬度方向排列而成。多個(gè)晶體條包括中心晶體條和兩側(cè)的側(cè)晶體條，且位于中心晶體條的兩側(cè)的側(cè)晶體條對(duì)稱。中心晶體條的長(zhǎng)度大于側(cè)晶體條的長(zhǎng)度，且相鄰的側(cè)晶體條的內(nèi)側(cè)晶體條的長(zhǎng)度大于位于外側(cè)的晶體條的長(zhǎng)度。各側(cè)晶體條頂面的、沿著晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠(yuǎn)離中心晶體條的一邊與中心晶體條頂面的相應(yīng)側(cè)邊位于同一斜面水平；各晶體條的底面位于同一平面。該模塊可以降低晶體條的研磨量，節(jié)約成本和減少研磨時(shí)間，提高成品率。本發(fā)明進(jìn)一步提供了制造用于射線探測(cè)器的晶體模塊的方法以及具有所述晶體模塊的射線探測(cè)器。