一種優(yōu)化米勒電容和導(dǎo)通壓降的功率器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910999012.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111081756A 公開（公告）日 2020-04-28
申請公布號 CN111081756A 申請公布日 2020-04-28
分類號 H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉劍;龔大衛(wèi);鄭澤人;王玉林 申請（專利權(quán)）人 揚州國揚電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 揚州國揚電子有限公司
地址 225101 江蘇省揚州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)吳州東路188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種優(yōu)化米勒電容和導(dǎo)通壓降的功率器件及制備方法，包括襯底，位于襯底左上方的阱區(qū)域，阱區(qū)域右側(cè)為局部高摻注入?yún)^(qū)域；阱區(qū)域上方依次離子注入形成第二導(dǎo)電類型重?fù)絽^(qū)和第一導(dǎo)電類型重?fù)絽^(qū)；阱區(qū)域重?fù)絽^(qū)上方設(shè)置發(fā)射極，襯底右上方依次生長柵氧化層和柵極，襯底下方設(shè)置收集極。本發(fā)明通過區(qū)域注入方式替代普遍注入方式，確保在阱周邊3um～5um的區(qū)域進(jìn)行注入，柵極下方其余位置不進(jìn)行注入，可以實現(xiàn)注入濃度的提升，從5E11～1E12atom/cm2增加到3E12～5E12atom/cm2，從而在不影響米勒(Miller)電容的前提下，降低器件導(dǎo)通壓降。